
TDK Corporation, otomotiv 500 V batarya sistemleri için E13 EM serisi IGBT ve FET gate drive transformatörlerini tanıttı.
Bileşenler, xEV platformlarında kullanılan çekiş invertörleri, izole DC-DC dönüştürücüler ve yardımcı güç sistemlerinde elektriksel yalıtım sağlamak üzere tasarlanmıştır. Bu uygulamalar, güvenilir yalıtım, stabil sinyal iletimi ve zorlu otomotiv çalışma koşullarına dayanıklılık sunan kompakt bileşenler gerektirir.
E13 EM serisi, MnZn ferrit çekirdeğe dayanan kompakt bir SMD tasarımı kullanır. Bileşenler 18,6 × 14,6 mm ayak izine ve maksimum 12 mm yüksekliğe sahiptir. Bu yapı, güç elektroniği montajlarında alan açısından verimli entegrasyonu destekler.
Seri, 100 kHz ile 400 kHz arasında tipik çalışma frekanslarını destekler ve flyback ile push-pull topolojileri için seçenekler sunar. Versiyona bağlı olarak endüktans değerleri yaklaşık 1,8 μH ile 240 μH arasında değişir ve doyum akımları 9 A’e kadar çıkar. Bu, bileşenlerin farklı güç mimarilerinde kullanılmasına olanak tanır.

Transformatörler, IGBT ve MOSFET gibi hızlı anahtarlamalı güç yarı iletkenleriyle stabil sinyal iletimi ve verimli çalışma sağlamak için düşük kaçak endüktans ve optimize edilmiş sargı yapılarıyla tasarlanmıştır.
Yalıtım, serinin temel özelliklerinden biridir. Bileşenler 6,3 mm’ye kadar creepage mesafesi ve 5,5 mm’ye kadar clearance mesafesi sağlar. IEC 60664-1 ve IEC 61558-2-16 standartlarına göre 500 V DC’de temel yalıtım ve 300 V’de güçlendirilmiş yalıtım gereksinimlerini karşılar. Ayrıca 2500 V’a kadar geçici aşırı gerilimler ve 900 V kısmi deşarj sönme gerilimi için belirtilmiştir.
E13 EM serisi, AEC-Q200 Rev. E standardına göre kalifiye edilmiştir ve -40 °C ile +150 °C arasında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. RoHS uyumludur ve JEDEC J-STD-020F’ye göre kurşunsuz reflow lehimlemeye uygundur.
Elektrikli ticari araçlar için bu bileşenler, kompakt tasarım, yalıtım, gerilim güvenliği ve termal güvenilirliğin önemli olduğu güç elektroniği sistemlerinde önemlidir. Bunlar arasında çekiş invertörleri, yardımcı dönüştürücüler ve yüksek gerilimli xEV platformları yer alır.




